光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。光敏二极管结构见下图。
操作方法
（01）按下图接线，注意光敏二极管是工作在反向工作电压的。由于硅光敏二极管的反向工作电流非常小，所以应提高工作电压，可用稳压电源上的+10V。
（02）暗电流测试：用遮光罩盖住光电器件模板，电路中反向工作电压接±12V，打开电源，微安表显示的电流值即为暗电流，或用4 1/2位万用表200mV 档测得负载电阻 RL 上的压降 V 暗，则暗电流 L暗=V 暗/RL。一般锗光敏二极管的暗电流要大于硅光敏二极管暗电流数十倍。可在试件插座上更换其他光敏二极管进行测试比较。
（03）光电流测试：取走遮光罩，读出微安表上的电流值，或是用4 1/2位万用表200mv 档测得 RL 上的压降V光，光电流L光=V光/RL。
（04）灵敏度测试：改变仪器照射光源强度及相对于光敏器件的距离，观察光电流的变化情况。
（05）光谱特性测试：不同材料制成的光敏二极管对不同波长的入射光反应灵敏度是不同的。由下图可以看出，硅光敏二极管和锗光敏二极管的响应峰值约在80~100μm，试用附件中的红外发射管、各色发光 LED、光源光、激光光源照射光敏二极管，测得光电流并加以比较。
特别提示
本实验中暗电流测试最高反向工作电压受仪器电压条件限制定为 ±12V（24V），硅光敏二极管暗电流很小，不易测得。
